低溫型產(chǎn)品概述：

霍爾效應(yīng)測試儀由電磁鐵、電磁鐵電源、高精度恒流源、高精度電壓表、霍爾效應(yīng)樣品支架、標(biāo)準(zhǔn)樣品、高低溫杜瓦，控溫儀，系統(tǒng)軟件組成。為本儀器系統(tǒng)專門研制的JH10效應(yīng)儀將恒流源，六位半微伏表及霍爾測量復(fù)雜的切換繼電器——開關(guān)組裝成一體，大大減化了實(shí)驗(yàn)的連線與操作。JH10可單獨(dú)做恒流源、微伏表使用。錦正茂霍爾效應(yīng)測試系統(tǒng)JH60D低溫型測量儀

用途：用于測量半導(dǎo)體材料的載流子濃度、遷移率、電阻率、霍爾系數(shù)等重要參數(shù)，而這些參數(shù)是了解半導(dǎo)體材料電學(xué)特性必須預(yù)先掌控的，因此霍爾效應(yīng)測試系統(tǒng)是理解和研究半導(dǎo)體器件和半導(dǎo)體材料電學(xué)特性必*的工具。 實(shí)驗(yàn)結(jié)果由軟件自動(dòng)計(jì)算得到，可同時(shí)得到體載流子濃度(Bulk Carrier Concentration)、表面載流子濃度(Sheet Carrier Concentration)、遷移率(Mobility)、電阻率(Resistivity)、霍爾系數(shù)(Hall Coefficient)、磁致電阻(Magnetoresistance)等 錦正茂霍爾效應(yīng)測試系統(tǒng)JH60D低溫型測量儀

可測試材料: ?

半導(dǎo)體材料：SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe 和鐵氧體材料等

低阻抗材料：石墨烯、金屬、透明氧化物、弱磁性半導(dǎo)體材料、TMR 材料等

高阻抗材料：半絕緣的 GaAs, GaN, CdTe 等